朱小燕，王顺利，邹以慧, 刘仁娟, 陈建军, 唐为华，碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征, 2010年第九届中国国际纳米技术（西安）研讨会会议论文，西安，2010.11.15-19。

摘要：

采用简单的碳热还原法,以碳粉和SiO₂微粉分别作为碳源和硅源,在1550℃高温真空气氛箱式炉中制备SiC纳米线。并利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)等测试手段对反应产物进行组分、形貌和结构表征.研究结果表明：产物为直线六棱柱形状的β-SiC纳米线，直径在50～300 nm之间,纳米线内部含有较多的堆垛层错；纳米线主要以气—固(VS)机制生长。