石强, 陈建军*, 碳纤维基底上SiC纳米线的制备及生长机理, 2010复合材料创新与可持续发展(上册), 354-359页，中国科学技术出版社，第十六届全国复合材料学术会议，湖南长沙，2010.10.23-24。

摘要：

以聚丙烯腈碳纤维为碳源和基底,在1550℃下,采用热蒸发硅粉的方法制备了直径约200nm、长度为几十微米、纯度较高的β-SiC纳米线。研究表明,小直径碳纤维作为碳源可为SiC纳米线生长提供较充足的生长空间,有利于提高SiC纳米线的纯度和产量。采用氧化物辅助生长机制解释了SiC纳米线的生长,并通过简单的热力学计算讨论了少量氧存在下SiC纳米线的结晶生长机理。