浙江理工大学|材料科学与工程学院
科学研究
文物保护材料研究所 >> 科学研究 >> 授权专利 >> 正文

授权专利

一种硫化镉量子点修饰的可植入传感器的制备方法

发明名称 一种硫化镉量子点修饰的可植入传感器的制备方法
专利号 ZL201810967652.0
授权公告日 2020年10月16日
专利类型 发明专利
发明人 万军民；吕思佳；胡智文；王秉；彭志勤